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詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...

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詳細摘要： 太陽能電池又稱為 "太陽能芯片" 或 "光電池", 是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片. 它只要被滿足一定照度條件的光照到, 瞬間就可輸出電壓及在有回路的...

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詳細摘要： 上海伯東美國 HVA 不銹鋼真空閘閥 真空插板閥 11000 系列, 手動,氣動可選, 滿足高真空和超高真空應用, 清潔和高密封性保證 HVA 真空閘閥 與前級...

詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...

詳細摘要： 某傳感器制造商為了制備出具有高結晶度、大比表面積、排列規則的納米結構 WO3 薄膜, 經過對比選擇, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射...

詳細摘要： 純 Ti 薄膜具有優異的力學性能、熱穩定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨損性, 被廣泛應用于航空航天、科研、光學和微電子器件等領域, 因此具有重要的研究價值.

詳細摘要： MoN薄膜是一種具有潛在應用價值的薄膜材料, 但對于其結構和性能的研究還較少. 因此，廣州某研究機構采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 ...

詳細摘要： 某 OEM 廠商為了提高鍍膜機鍍膜的品質, 其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾...

詳細摘要： 鈦金屬具有許多優異的性能, 例如低密度/ 高熔點/ 耐腐蝕/ 無磁性和硅基襯底結合力好/ 具有形狀記憶和吸氫特性等, 因此對于磁控濺射沉積鈦薄膜的研究有很多.

詳細摘要： 某半導體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射沉積設備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動...

詳細摘要： 河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導體 IGZO 薄膜.

詳細摘要： 沈陽某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對其成分及表...

詳細摘要： 某科研機構在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助鍍膜設備濺射沉積 ZrB2 涂層.

詳細摘要： 上海伯東美國 HVA 長壽命嚴厲過程真空閘閥 71000 系列是專為苛刻的真空環境而設計. HVA 真空閘閥 71000 系列由堅固的不繡鋼剛坯在 1100&a...

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詳細摘要： 上海伯東美國 HVA 不銹鋼真空閘閥 真空插板閥 11000 系列, 手動,氣動可選, 滿足高真空和超高真空應用, 清潔和高密封性保證 HVA 真空閘閥 與前級...

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