UNHT³ 高精度超納米壓痕測(cè)試儀采用真實(shí)力傳感器和位移傳感器，可用于測(cè)量材料在納米尺度下的機(jī)械性能。UNHT³ 采用*的主動(dòng)表面參比技術(shù)，消除了熱漂移和框架剛度的影響。因此，非常適用于對(duì)所有類型的材料（包括聚合物、納米涂層和軟組織）進(jìn)行原子到納米尺度的長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量。對(duì)于極低或極溫度下的測(cè)量，真空室版本 （UNHT³ HTV） 適用于 -150℃ 至 800℃ 的溫度以及低至 10-7 mba
UNHT³ 高精度超納米壓痕測(cè)試儀采用真實(shí)力傳感器和位移傳感器，可用于測(cè)量材料在納米尺度下的機(jī)械性能。UNHT³ 采用*的主動(dòng)表面參比技術(shù)，消除了熱漂移和框架剛度的影響。因此，非常適用于對(duì)所有類型的材料（包括聚合物、納米涂層和軟組織）進(jìn)行原子到納米尺度的長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量。對(duì)于極低或極溫度下的測(cè)量，真空室版本 (UNHT³ HTV) 適用于 -150℃ 至 800℃ 的溫度以及低至 10-7 mbar 的真空度。
型號(hào): 超納米壓痕測(cè)試儀：UNHT³ Standard
•環(huán)境條件下的測(cè)量
•從室溫至 200℃ 的可變溫度測(cè)試
型號(hào): 超納米壓痕測(cè)試儀：UNHT³ HTV
•真空環(huán)境可更好地控制加熱，并保護(hù)壓痕針尖和樣品免受氧化
•全自動(dòng)程序，可將熱漂移降至低
•從 -150℃ 至 800℃ 的可變溫度測(cè)試
•真空度低至 10-7 mbar
精確的納米壓痕測(cè)試儀
UNHT³ 可測(cè)量他人估計(jì)的結(jié)果：兩個(gè)獨(dú)立的位移和載荷傳感器可真正可靠地控制力和壓入深度。另外，UNHT³ 采用*的主動(dòng)表面參比設(shè)計(jì)：參考參比針尖記錄樣品的表面位移位置，同時(shí)針尖壓痕完成測(cè)量，以此扣除熱漂移和框架剛度影響。這種*的設(shè)計(jì)支持大范圍的壓入位移（從幾 nm 到 100 μm）和壓入載荷（從幾 μN 到 100 mN）。
市場(chǎng)上穩(wěn)定性最高的納米壓痕測(cè)試儀
UNHT³ 采用*的主動(dòng)表面參比技術(shù)和無熱膨脹的 Zerodur 材質(zhì)，是市面上一款無需任何位移校正且熱漂移低至可忽略不計(jì) (10 fm/sec) 的納米壓痕測(cè)試儀。憑借*的穩(wěn)定性，UNHT³ 是一可用來長(zhǎng)期測(cè)量蠕變等測(cè)試的納米壓痕測(cè)試儀。
高效率和測(cè)量速度（每小時(shí)測(cè)量 >600 次）
借助該儀器*的熱穩(wěn)定性，樣品在安裝后即刻便能進(jìn)行測(cè)量，不必等待數(shù)小時(shí)以便其達(dá)到熱穩(wěn)定狀態(tài)。因此，每天可單獨(dú)測(cè)量許多樣品。使用“快速點(diǎn)陣”模式，每小時(shí)可通過真實(shí)的壓痕曲線和 600 多個(gè)壓痕。另外，用戶配置、測(cè)量模式、多樣品測(cè)量和可定制報(bào)告也促使其成為市面上效率高的儀器。
通過“Sinus 動(dòng)態(tài)測(cè)量模式”進(jìn)行其他動(dòng)態(tài)機(jī)械分析 (DMA)
使用集成的“Sinus 動(dòng)態(tài)測(cè)量模式”，可以對(duì)機(jī)械特性進(jìn)行位移曲線 DMA 分析（HIT、EIT 對(duì)比位移），并可測(cè)量薄膜到塊狀材料等樣品的粘彈特性（E'、E''：儲(chǔ)能和損耗模量、tan δ）。Sinus 動(dòng)態(tài)測(cè)量模式還提供其他功能，例如壓痕儀快速校正以及應(yīng)力/應(yīng)變分析。
在高真空和高達(dá) 800℃ 的高溫下進(jìn)行測(cè)量
UNHT³ 的 HHT 版本是一款配備全自動(dòng)程序的超納米壓痕儀，可將熱漂移降至低，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)熱漂移 <3 nm/min。這是通過*的加熱控制系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)的，該加熱控制系統(tǒng)以 0.1℃ 的精度同時(shí)控制樣品和壓痕針尖溫度。壓痕軟件控制加熱和環(huán)境條件，并與系統(tǒng)實(shí)時(shí)交互，以最大限度地減少熱漂移，并啟動(dòng)所有所需的測(cè)量。您可以計(jì)劃一組具有不同溫度步長(zhǎng)的任何類型的壓痕（也可使用標(biāo)準(zhǔn) UNHT³），儀器會(huì)根據(jù)預(yù)設(shè)矩陣自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量。
技術(shù)規(guī)格| 最大載荷 [mN] | 50 / 100(1) |
| 載荷分辨率 [nN] | 3 |
| 載荷背底噪聲 [rms] [μN] | ≤0.05 |
| 加載速度 [mN/min] | 最多 1000 種 |
| 深度量程 [μm] | 50 / 100(1) |
| 深度分辨率 [nm] | 0.003 |
| 深度背底噪聲 [rms] [nm] | ≤0.03 |
| 數(shù)據(jù)采集頻率 [kHz] | 192 |
| 選件 |
| 加熱臺(tái)的溫度可高達(dá) 200℃ | ? |
| 低冷卻至 -120℃ (2) | ? |
| 液體測(cè)試 | ? |
(1) 可選(2) 帶環(huán)境腔體
UNHT³ 的主動(dòng)表面參比技術(shù)：US 7,685,868 B2
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化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)