GB1410電阻率測(cè)試儀電阻和表面電阻率》,5.3.8如脈沖試驗(yàn)由于不可避免的原因停機(jī)24h以上,重新開始試驗(yàn)時(shí),在接頭連接處可能會(huì)出現(xiàn)輕

微滲漏,這一現(xiàn)象如在30min內(nèi)自動(dòng)消失,則不視為試驗(yàn)失效。

5.3.9記錄破壞時(shí)的周期數(shù),如未發(fā)生破壞則記錄所完成的周期數(shù)。

5.4爆破試驗(yàn)

5.4.1選擇按5.4.3規(guī)定的升壓速率,將軟管總成充壓至最小爆破試驗(yàn)壓力(為設(shè)計(jì)工作壓力的

4倍),保壓1min,不應(yīng)出現(xiàn)滲漏和其他異常現(xiàn)象,繼續(xù)升壓至爆破為止,記錄爆破試驗(yàn)壓力值。

5.4.2在進(jìn)行爆破試驗(yàn)時(shí),管接頭拔脫或在距離接頭25mm內(nèi)出現(xiàn)爆破時(shí)應(yīng)視為軟管總成的損壞,對(duì)

軟管可重新進(jìn)行此項(xiàng)試驗(yàn),但應(yīng)在原始記錄中記錄失效形式,部位和試驗(yàn)壓力。

5.4.3不同軟管爆破試驗(yàn)壓力的升壓速率按下述要求進(jìn)行:

a)爆破試驗(yàn)壓力在12.5~40MPa之間時(shí),升壓速率為0.35~1.17 MPa/s或在90s內(nèi)達(dá)到爆破

試驗(yàn)壓力;

b)爆破試驗(yàn)壓力大于40MPa時(shí),采用一恒定的升壓速率,在120s內(nèi)達(dá)到最終的試驗(yàn)壓力。

5.5低溫彎曲性能試驗(yàn)

5.5.1軟管總成應(yīng)在(一40士2)℃下平直冷凍24h,在此溫度下,沿一直徑為最小彎曲半徑(最小彎曲

半徑見表 2、表 3)2 倍的圓盤上勻速彎曲,在(10±2)s的時(shí)間內(nèi)勻速地彎曲一次。

5.5.2軟管公稱內(nèi)徑小于或等于22 mm時(shí)彎曲 180°;軟管公稱內(nèi)徑大于22mm時(shí)彎曲90°。在彎曲后，

使試件恢復(fù)到室溫,再對(duì)試件以設(shè)計(jì)工作壓力的2倍保壓5min,不應(yīng)出現(xiàn)滲漏、龜裂及其他異常現(xiàn)象。

5.6阻燃試驗(yàn)

5.6.1將一根 300mm的軟管(試件)水平放置在試驗(yàn)箱內(nèi)的試架上,酒精噴燈燃燒器與軟管的相對(duì)位

置應(yīng)符合圖6要求,軟管外緣與酒精燃燒器的距離為(50±2)mm,酒精噴燈燃燒器底座與水平方向成

45°角。燃燒器和阻燃試驗(yàn)裝置見圖6、圖 7.

本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國電氣絕緣材料與絕緣系統(tǒng)評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 301)歸口。

本部分起草單位:蘇州太湖電工新材料股份有限公司、東方電氣集團(tuán)東方電機(jī)有限公司、機(jī)械工業(yè)

北京電工技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究所、佛山市順德區(qū)質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督標(biāo)準(zhǔn)與編碼所、浙江博菲電氣股份有限公司、蘇

州電器科學(xué)研究院股份有限公司、四川東材科技集團(tuán)股份有限公司、煙臺(tái)民士達(dá)特種紙業(yè)股份有限公

GB1410電阻率測(cè)試儀

根據(jù)特定的測(cè)量要求和產(chǎn)品的需求來選擇不同類型的電極。對(duì)于表面形狀彎曲的材料,建議選用

小型線電極。彈簧電極可在產(chǎn)品上施加較小的應(yīng)力而進(jìn)行測(cè)量,且對(duì)于在測(cè)量前應(yīng)進(jìn)行條件處理的材

料是最佳適用的電極。如果產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定,則應(yīng)依據(jù)典型應(yīng)用選擇電極裝置。

如果所選電極放置在被測(cè)試樣上,使得試樣形狀發(fā)生明顯變化,則應(yīng)更換其他合適的電極進(jìn)行

測(cè)量.

如果沒有可供參考的電極選用信息,則推薦采用小型線電極裝置。

5.2電壓

試驗(yàn)電壓應(yīng)推薦為10V,100 V,500 V.1 000 V和 10 000V.

其他電壓可能也適用,如無其他規(guī)定,應(yīng)采用100V電壓。

注1:超過規(guī)定的起始電壓會(huì)引起局部放電,可能導(dǎo)致測(cè)量產(chǎn)生誤差。若在空氣中進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),試驗(yàn)電壓低于

340V,不會(huì)引起局部放電。

注2:電壓源的紋波特性是十分具有參考價(jià)值的,電源電壓為100V時(shí),紋波系數(shù)小于5X10-。

5.3設(shè)備

5.3.1概述

注意表面電阻受平行于電極裝置的寄生電阻產(chǎn)生的影響,如試驗(yàn)裝置支撐或電線屏蔽層的電阻。

當(dāng)被測(cè)電阻大于10"Ω時(shí),為減小測(cè)量誤差,應(yīng)對(duì)測(cè)量線路施加屏蔽,把測(cè)量裝置放于屏蔽箱內(nèi)。

各種電極裝置均可用于表面電阻和表面電阻率的測(cè)量,但測(cè)量結(jié)果與電極類型密切相關(guān)。

小板試樣線電極之間所測(cè)得的電阻。

3.12

表面電阻率surface resistivity

線電極系統(tǒng),通常用具有尖角的彈簧結(jié)構(gòu),具有一定間隙的兩個(gè)平行金屬刀刃電極。

3.3

線電極line electrodes

應(yīng)用于被測(cè)材料表面,具有一定間隙的平行線型電極。

3.4

環(huán)電極annular electrodes

中心為圓形電極,間隔空隙環(huán)繞著環(huán)形電極的裝置。

注:與IEC62631-3-1定義的保護(hù)電極的形狀相似,在測(cè)量表面電阻時(shí),環(huán)形電極不再作為保護(hù)電極,保護(hù)功能由下

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC 60093:1980《固體絕緣材料體積電阻率和表面電阻率試驗(yàn)方法》(英文版)。

為便于使用,本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改:

a)刪除國際標(biāo)準(zhǔn)的目次和前言;

b)用小數(shù)點(diǎn)*.’代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)‘，’;

c) 用“p."代替“p",“p,"代替“8";

d)圖按 GB/T 1.1-2000標(biāo)注.

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 1410-1989相比主要變化如下:

a)增加了“規(guī)范性引用文件"一章(本標(biāo)準(zhǔn)的第2章);

b)增加了試驗(yàn)電壓范圍(本標(biāo)準(zhǔn)的第5章);

c)試驗(yàn)結(jié)果以“中值"代替“幾何平均值"。

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 1410-1989(固體絕緣材料體積電阻率和表面電阻率試驗(yàn)方法)。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B、附錄C均為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國絕緣材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:桂林電器科學(xué)研究所。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:王先鋒、谷曉麗。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

一GB/T 1410-1978;

-GB/T 1410-1989。1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了固體絕緣材料體積電阻率和表面電阻率的試驗(yàn)方法。這些試驗(yàn)方法包括對(duì)固體絕緣

材料體積電阻和表面電阻的測(cè)定程序及體積電阻率和表面電阻率的計(jì)算方法。

體積電阻和表面電阻的試驗(yàn)都受到下列因素影響;施加電壓的大小和時(shí)間;電極的性質(zhì)和尺寸1在

試樣處理和測(cè)試過程中周圍大氣條件和試樣的溫度、濕度。

2 規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T 10064-2006測(cè)定固體絕緣材料絕緣電阻的試驗(yàn)方法(IEC 60167:1964,IDT)

GB/T 10580-2003固體絕緣材料在試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)采用的標(biāo)準(zhǔn)條件(IEC 60212:1971,IDT)

IEC 60260:1968非注人式恒定相對(duì)濕度的試驗(yàn)箱

3定義

下列定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

3.1

體積電阻volume resistance

在試樣兩相對(duì)表面上放置的兩電極間所加直流電壓與流過這兩個(gè)電極之間的穩(wěn)態(tài)電流之商,不包

括沿試樣表面的電流,在兩電極上可能形成的極化忽略不計(jì)。

注:除非另有規(guī)定,體積電阻是在電化一分鐘后測(cè)定。

3.2

體積電阻率volume resistivity

在絕緣材料里面的直流電場(chǎng)強(qiáng)度和穩(wěn)態(tài)電流密度之商,即單位體積內(nèi)的體積電阻。

注，體積電阻率的SI單位是Ω.m。實(shí)際上也使用Ω*cm這一單位。

3.3

表面電阻surface resistance

在試樣的其表面上的兩電極間所加電壓與在規(guī)定的電化時(shí)間里流過兩電極間的電流之商,在兩電

極上可能形成的極化忽略不計(jì)。

注1:除非另有規(guī)定,表面電阻是在電化一分鐘后測(cè)定。

注2:通常電流主要流過試樣的一個(gè)表面層,但也包括流過試樣體積內(nèi)的成分。

3.4

表面電阻率surface resistivity

在絕緣材料的表面層里的直流電場(chǎng)強(qiáng)度與線電流密度之商,即單位面積內(nèi)的表面電阻。面積的大

小是不重要的。

注:表面電阻率的SI單位是Ω。實(shí)際上有時(shí)也用“歐每平方單位"來表示，GJB5204-2004

用其長(zhǎng)短可以判斷腦力負(fù)荷的大小。

3.10腦力負(fù)荷儲(chǔ)備值mental workload reservation value

人在工作時(shí)尚未占用腦力資源的程度。其計(jì)算公式為:腦力負(fù)荷儲(chǔ)備值-(雙重任務(wù)飛行參數(shù)保持

率÷單純飛行參數(shù)保持率)X(飛行中信息處理速度十基礎(chǔ)信息處理速度)。

3.11腦力負(fù)荷指數(shù)mental workload index (MWI)

依據(jù)腦力負(fù)荷評(píng)價(jià)模型計(jì)算得出的一個(gè)無量綱值。

4腦力負(fù)荷評(píng)價(jià)參數(shù)測(cè)定

4.1主觀評(píng)價(jià)參數(shù)測(cè)定

4.1.1測(cè)評(píng)方法

選用“庫柏-哈柏"主觀評(píng)價(jià)法，并以雙180°大航線飛行課目作為評(píng)價(jià)依據(jù)，主觀評(píng)價(jià)問卷內(nèi)容,

見附錄A

4.1.2 測(cè)評(píng)結(jié)果

被試評(píng)出飛機(jī)相應(yīng)的等級(jí)“數(shù)"，即為測(cè)評(píng)結(jié)果，稱為“庫柏位",

4.2主任務(wù)評(píng)價(jià)參數(shù)測(cè)定

4.2.1測(cè)評(píng)方法

測(cè)評(píng)設(shè)備采用被評(píng)價(jià)飛機(jī)地而飛行模報(bào)器，主任務(wù)選定雙180°大航線飛行課目，飛行數(shù)據(jù)和評(píng)分

標(biāo)準(zhǔn)，參見附錄B。

4.2.2數(shù)據(jù)采集與處理

利用地面飛行模擬器的記錄系統(tǒng)實(shí)時(shí)采集(每秒20次)被試操縱模抓器的狀態(tài)參數(shù),包括飛行高度。

速度、航向、坡度、升降豐等。記錄這些參數(shù)在何時(shí)出現(xiàn)多大偏差和偏差累積時(shí)間，以及操縱中主要?jiǎng)?/p>

作有無錯(cuò)、忘、漏。采月數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)對(duì)采集的散據(jù)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)，利用模擬器預(yù)留的串行通信口傳送給主

計(jì)算機(jī)。按照3.7中的公式，計(jì)算得出飛行參數(shù)保持率。

4.3次任務(wù)評(píng)價(jià)參數(shù)測(cè)定

4.3.1測(cè)評(píng)方法

在執(zhí)行主任務(wù)的同時(shí)，要求被試辯別兩種不網(wǎng)頻字的聲信號(hào)。靶制激信號(hào)的禁率為23Hz。出現(xiàn)概

率為0.3;非靶刺激信號(hào)的頻車為1kHz。出現(xiàn)概率為0.7。以上兩種聲信號(hào)由發(fā)聲器發(fā)出，通過耳機(jī)傳

送，音量7MB-90dB(可調(diào))。靈敏度100μV，隨機(jī)出現(xiàn)，刺激須率為0.7Hz。即1次/1.4s。當(dāng)出現(xiàn)靶

刺激時(shí)，立即按應(yīng)答鍵;非靶刺激出現(xiàn)時(shí)，則不按鍵。

4.3.2數(shù)據(jù)采集與處理

由主計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集聲信號(hào)出現(xiàn)的總次數(shù)，靶刺激出現(xiàn)次數(shù)，靶制激應(yīng)答正確反應(yīng)時(shí)，播報(bào)及漏報(bào)

次數(shù)。按照3.8中的公式。計(jì)算得出信息處理速度。每名被試者均應(yīng)預(yù)先測(cè)定其基礎(chǔ)值備用。

4.4生理評(píng)價(jià)參數(shù)測(cè)定

4.4.1測(cè)評(píng)方法

生理評(píng)價(jià)指標(biāo)選定聽覺事件相關(guān)照電位的Pya潛時(shí)。測(cè)評(píng)設(shè)備采用照電圖儀，設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)電壓

50μV/5mm，濾波0.3Hz，時(shí)間常數(shù)0.1。電極置于Ce、P2參考電極為兩側(cè)耳垂，地線置于FP，皮膚

電阻小于5kΩ.

4.4.2數(shù)據(jù)采集與處理

在飛行的全過程中，由膚電圖儀采集腦電波信號(hào)，并將其輸入主計(jì)算機(jī)。將靶刺激聲脈沖引出。作

為相關(guān)電位迭加觸發(fā)信號(hào)。用主計(jì)算機(jī)采集、選加、顯示聽覺事件相關(guān)腦電位。用腦電圖儀的描記器描

繪Pm波形，測(cè)量P3oe出現(xiàn)的潛伏時(shí)間，每名被試者均應(yīng)預(yù)先測(cè)定其基礎(chǔ)值備用。

4.5腦力負(fù)荷儲(chǔ)備值測(cè)定

4.5.1測(cè)評(píng)方法GJB 5204-2004

采用雙重任務(wù)飛行測(cè)評(píng)方法，主任務(wù)同42.1，次任務(wù)同4.3.1。在雙重任務(wù)飛行之前，每名被試者

均應(yīng)預(yù)先測(cè)定其單純飛行參數(shù)保持率備網(wǎng)。

4.5.2數(shù)據(jù)采集與處理

實(shí)時(shí)同步采集主任務(wù)和次任務(wù)的各項(xiàng)歉據(jù)，數(shù)據(jù)采集與處理分別同4.2.2和43.2。按照3.10 中的公

式，計(jì)算得出腦力負(fù)荷儲(chǔ)備值。

5 腦力負(fù)荷評(píng)價(jià)模型

5.1評(píng)價(jià)模型

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的殲擊機(jī)飛行員腦力負(fù)荷評(píng)價(jià)模型公式為:

MWT-0.3B3XPKBテJKB

+0.267X (PFQ-PJQ)÷(JFQ-IIQ)