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上海拓普思科技有限公司
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結合了成像性能和的環境模式（Thermo Scientific ESEM™），同時兼容廣泛的硬件和軟件選型，可滿足多用戶實驗室的綜合應用需求。
Prisma E SEM 的三種真空模式（高真空、低真空和環境掃描模式【ESEM】）使得系統具有靈活性，可以容納任何 SEM 可用的廣泛的樣品類型，包括放氣的、未鍍導電膜的或者是與真空狀態不相容的樣品。
多種檢測器選項（定向背散射探測器、STEM、熒光探測器等）提供了所有必要的樣品信息。探測器信號同步采集和顯示，可以在較短的時間內提供答案。
主要優勢
1、在自然狀態下對材料進行原位研究： Prisma E SEM提供的環境掃描模式（ESEM）。
2、較大程度縮短樣品制備時間：低真空和環境真空技術可針對不導電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積。
3、觀察所有樣品獲取信息：在每種操作模式下均可同時進行SE和BSE成像。
4、原位分析：配置專門的原位實驗臺，溫度范圍從-165℃到1400℃。
5、*的分析功能：大樣品倉可同時安裝3個EDS探測器、WDS和共面EDS/EBSD，其中兩個EDS端口為180°正對。
6、*的不導電樣品分析功能：借助多級“穿過透鏡"的壓差真空系統，實現低真空下的高質量EDS 和 EBSD 分析。
7、高精度優中.心樣品臺，105°傾斜角度范圍，可觀察樣品。
8、軟件直觀、簡便易用，配置用戶向導及 Undo（撤銷）功能，新手用戶可進行操作，專家用戶也可進行更少的操作，完成快速分析。
9、廣泛的配置選項，包括可伸縮的RGB熒光（CL）探測器、1100℃高真空熱臺、_Heater 和Autoscript（基于Python的腳本工具API）。
材料科學SEM
對于需要方位性能和易用性的多用戶實驗室而言，完整的SEM。
新型Prisma E掃描電子顯微鏡（SEM）將各種成像和分析模式與新的*自動化相結合，為同類儀器提供完整的解決方案。它非常適用于需要高分辨率，樣品靈活性和易于使用的操作界面的工業研發，質量控制和故障分析應用。Prisma E成功獲得了為成功的Quanta SEM。
特色的成像
多用戶實驗室需要顯微鏡在短時間內生成具有相關數據的高質量圖像。Prisma E采用基于管組件的強大成像系統滿足了這一需求，可在各種光束能量和真空條件下提供好的結果。在所有這些條件下，地形圖和成像圖都提供必要的樣本信息。通過同步采集，該信息可供隨后進一步解釋和分析。
輕松導航
尋找感興趣的區域甚至找到樣品本身都是一項繁瑣的工作……但不是在Prisma E上。室內導航相機（Nav-Cam）提供樣品架的詳細照片，使其易于使用一個會話中的多個樣本并逐個導航到它們。在示例中，只需單擊它即可轉到感興趣的區域。導航凸輪圖像與樣本一起旋轉，因此導航非常直觀。
樣本靈活性
今天的研究超越了傳統金屬和涂層樣品 – 非導電材料，大型或重型樣品，臟樣品甚至濕樣品都需要在微觀尺度上進行研究。Prisma E具有三種成像模式 – 高真空，低真空和ESEM™ – 適用于任何SEM的廣泛樣品。此外，Prisma E的腔室適合大樣品，并配備110×110 mm 5軸電動中.心平臺，傾斜范圍為105°，可以從各個角度觀察樣品。
支持分析
Prisma E的分析室支持對元素（EDX，WDS）和晶體學（EBSD）樣品數據的日益增長的需求，該分析室支持多個EDX檢測器以提高通量并清除陰影效應。此外，分析室支持共面EDX / EBSD和平行光束WDS，以確保所有技術的定位。得益于Prisma E的原位功能，即使在絕緣或高溫樣品上也能獲得可靠的分析結果。
光子學，地球科學，陶瓷，玻璃和故障分析應用的附加樣品信息來自的可伸縮RGB發光檢測器。
典型應用包括：
1、納米表征:
– 金屬及合金、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及超導材料
– 陶瓷、復合材料、塑料
– 薄膜/涂層
– 地質樣品斷面、礦物
– 軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
– 顆粒、多孔材料、纖維
2、原位表征:
– 結晶/相變
– 氧化反應、還原反應、催化反應
– 材料生長
– 水合/脫水/潤濕/接觸角分析
– 拉伸 (伴隨加熱或冷卻)
技術參數：
1、電子光學：
1）發射源：鎢燈絲（高性能電子光學鏡筒，雙陽熱發射電子槍）
2）固定式物鏡光闌，無需手動調整使用方便
3）加速電壓：200V – 30kV，自動256級偏壓設計
4）放大倍數：6x – 1,000,000×
5）有一路單獨抽真空系統，保證在低真空和環境模式下電子槍高真空和不受污染，延長燈絲壽命
6）使用工廠預對中燈絲更換方便
2、真空系統
1）1個250 l/s分子渦輪泵+1個機械泵
2）高真空模式：＜1×10-5 Pa
3）低真空模式：10 – 130 Pa
4）環境真空模式：10 – 2600 Pa
5）高真空模式下的換樣時間：≤150秒
6）低真空及環境真空模式下的換樣時間：≤270秒
3、電子束分辨率
A：高真空模式下成像
1）30 kV下3.0 nm （SE二次電子）
2）30 kV下4.0 nm （BSE背散射電子）
3）3 kV下8.0 nm （SE二次電子）
B：電子束減速下高真空模式下成像
1）7.0 nm @ 3 kV （電子束減速模式 + DBS）
C： 低真空模式下成像
1）3.0 nm @ 30 kV （SE二次電子）
2） 4.0 nm @ 30 kV （BSE背散射電子）
3）10 nm @ 3 kV (SE)
D：環境模式下成像
1）30 kV下3.0 nm （SE二次電子）
4、樣品倉
1）內寬：340 mm
2）分析工作距離：10 mm
3）端口：12
4）EDS 出射角：35°
5）可同時安裝三個 EDS 探測器，其中兩個處于 180°正對
6）共面 EDS/EBSD ，與樣品臺傾斜軸垂直
7）通用 9 針電氣接口
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