產(chǎn)品關(guān)鍵詞：ikn水性石墨烯漿料研磨分散機(jī) 水性石墨烯漿料生產(chǎn)設(shè)備，水性石墨烯漿料高剪切分散機(jī)，水性石墨烯涂料高速分散機(jī)，石墨烯剝離設(shè)備，石墨烯高剪切分散機(jī)，石墨烯分層設(shè)備

石墨烯目前是世上zui薄卻也是zui堅(jiān)硬的納米材料 ，為世上電阻率zui小的材料。因?yàn)樗碾娮杪蕵O低，電子遷移的速度極快，因此被期待可用來發(fā)展出更薄、導(dǎo)電速度更快的新一代電子元件或晶體管。由于石墨烯實(shí)質(zhì)上是一種透明、良好的導(dǎo)體，也適合用來制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽能電池。所以越來越多的廠家開始研究和生產(chǎn)石墨烯。
上海IKN也響應(yīng)這個(gè)新興產(chǎn)業(yè)的號(hào)召，隨之研發(fā)出石墨烯高剪切研磨分散機(jī)，在生產(chǎn)石墨烯的過程中，如何將石墨更好的細(xì)化，以及細(xì)化后團(tuán)聚問題的解決，成為的zui大的難點(diǎn)。
石墨烯漿料分為兩種，以水為介質(zhì)分散叫水性，以NMP為介質(zhì)分散叫油性，石墨烯根據(jù)石墨烯原料的不同，一般含量在2.5-5的固含量之間打成漿料，影響石墨烯分散或者剝離的因素有很多，設(shè)備的選型，分散劑的使用，固含量的把握 
石墨烯主要制備方法：
制備石墨烯常見的方法為機(jī)械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法（CVD）。

IKN石墨烯研磨設(shè)備采用德國先x的高速研磨分散技術(shù)，通過超高轉(zhuǎn)速（可達(dá)14000rpm）帶動(dòng)超高精密的磨頭定轉(zhuǎn)子（通常配CM+8SF，定轉(zhuǎn)子間隙在0.2-0.3之間）使石墨烯漿料在設(shè)備的高線速度下形成湍流，在定轉(zhuǎn)子間隙里不斷的撞擊、破碎、研磨、分散、均質(zhì)，從而得出超細(xì)的顆粒（當(dāng)然也需要合適的分散劑做助劑）。綜合以上幾點(diǎn)可以得出理想的導(dǎo)電石墨烯漿料。

水性石墨烯漿料生產(chǎn)設(shè)備

在做納米粉體分散或研磨時(shí)，因?yàn)榉垠w尺度由大變小的過程中，范德華力及布朗運(yùn)動(dòng)現(xiàn)象逐漸明顯且重要。選擇適當(dāng)助劑以避免粉體再次凝聚及選擇適當(dāng)?shù)难心C(jī)來控制研磨漿料溫度以降低或避免布朗運(yùn)動(dòng)影響，是濕法研磨分散方法能否成功地得到納米級(jí)粉體研磨及分散關(guān)鍵技術(shù)。

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1.機(jī)械剝離法是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對(duì)運(yùn)動(dòng)，得到石墨烯薄層材料的方法。這種方法操作簡(jiǎn)單，得到的石墨烯通常保持著完整的晶體結(jié)構(gòu)，但是得到的片層小，生產(chǎn)效率低。

2.氧化還原法是通過將石墨氧化，增大石墨層之間的間距，再通過物理方法將其分離，***后通過化學(xué)法還原，得到石墨烯的方法。這種方法操作簡(jiǎn)單，產(chǎn)量高，目前國內(nèi)使用氧化，還原法制作石墨烯漿料的，如：寧波墨
稀、東莞鴻納、第六元素等企業(yè)，
3.SiC外延法是通過在超高真空的高溫環(huán)境下，使硅原子升華脫離材料，剩下的C原子通過自組形式重構(gòu)，從而得到基于SiC襯底的石墨烯。這種方法可以獲得高質(zhì)量的石墨烯，但是這種方法對(duì)設(shè)備要求較高

4.CVD也叫氣相沉積法是目前***有可能實(shí)現(xiàn)工業(yè)化制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的方法。這種方法制備的石墨烯具有面積大和質(zhì)量高的特點(diǎn)，國內(nèi)用氣相沉積法制作石墨烯漿料的如 重慶墨稀、常州第六元素等企業(yè)

CMD2000系列研磨分散機(jī)的結(jié)構(gòu)：研磨式分散機(jī)是由錐體磨,分散機(jī)組合而成的高科技產(chǎn)品。
*級(jí)由具有精細(xì)度遞升的三級(jí)鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強(qiáng)的流體湍流下，凹槽在每級(jí)都可以改變方向。
第二級(jí)由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設(shè)計(jì)也很好地滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。
CMD2000系列設(shè)備選型表

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流量取決于設(shè)置的間隙和被處理物料的特性，同時(shí)流量可以被調(diào)節(jié)到***大允許量的10%。

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