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詳細(xì)摘要： 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等許多優(yōu)點，但...

詳細(xì)摘要： 試驗電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0...

詳細(xì)摘要： 一般情況下，此項試驗是對器件在結(jié)溫（Tjm ℃）和規(guī)定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應(yīng)力組合下，進(jìn)行規(guī)定時間的 試驗，并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù)，確認(rèn)是否...