高溫阻斷試驗臺

阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導體 器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定的時間，從而對器件進 行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。        

一般情況下，此項試驗是對器件在結溫（Tjm ℃）和規(guī)定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下，進行規(guī)定時間的 試驗，并根據抽樣理論和失效判定依據，確認是否通過， 同時獲 取相關試驗數據。       

該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求?？晒┌雽w器件配以適當的溫度可控裝置， 作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反 偏耐久性試驗、高溫漏電流測試（HTIR）和老煉篩選。

系統(tǒng)組成

漏電流保護回路 試驗電壓保護回路

在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲，當試品在試驗期內發(fā) 生劣化或突然擊穿或轉折，保險絲將熔斷，設備面板上的相應工位的 氖燈點亮示警，同時蜂鳴器報警提示。

試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電 壓設定值比較，當試驗電壓高于電壓保護設定值時，過壓報警器響， 同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。

高壓回路

電特性參數測試回路 試驗電壓 試品漏電流

由電源開關、控制繼電器、自藕調壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成，產生規(guī)定的試驗電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。

由電壓取樣回路，經采集、保持 電路送到設備的數字電壓表顯示；

對每一試品漏電流獨立采樣，通 過設備上的波段開關分別進行轉 換，傳送到數字電流表顯示。

技術指標

試驗電壓  VDRM.VRRM/VRRM   300V ~ 4000V 連續(xù)可調， 50HZ工頻 試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM   1.0 mA ~200.0mA

試驗溫度

溫度范圍：室溫～150℃；溫度均勻性125℃±3℃； 溫度波動度±0.5℃

試驗工位  10工位 試驗容量 80×16=1280位

加電方式

器件試驗參數從器件庫中導入，ATTM自動加電試驗 方式，可單通道操作；老化電源可根據設定試驗電壓 和上電時間程控步進加載