樣品容量：全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安裝樣品。Loadlock允許樣本傳輸時間<2min；

操作平臺：在x軸和y軸上進行200mm的平臺運動。Z軸范圍15mm。連續旋轉。傾斜范圍-5至55度。精度<1um絕對平均值且<2um（85%公差間隔）超過25mm；

電子束性能：肖特基場發射槍，浸沒式最終透鏡分辨率3nm，5kV 5mm WD。電壓范圍為200V至30kV；

離子束性能：1500小時鎵離子源。7nm分辨率。工作電壓為5kV至30kV。束流1pA至11nA；

探測器：通過透鏡檢測器（TLD）和連續雙節點電子倍增器（CDEM）進行二次電子、背散射電子和二次離子檢測。紅外CCD攝像機，用于樣品的低倍率圖像；

束化學：XeF2用于Si和SiO2研磨增強。離子束和電子束沉積六羰基鎢，用于沉積鎢金屬焊盤、通孔和線路。兩個額外氣體噴射器的容量。TEO用于沉積絕緣膜，H2O用于增強碳基材料的研磨，鉑和鉬用于沉積導線和通孔；

樣品操縱器：用于從晶圓基板提取銑削薄片樣品的軟件控制探針。