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SAMACOICP蝕刻設備RIE-800iPC，具有優良工藝再現性的生產設備它是一種使用感應耦合等離子體作為放電類型的高密度等離子體蝕刻設備

SAMCO二手翻新ICP刻蝕機RIE-400iPC，是高密度等離子體蝕刻系統，采用電感耦合等離子體作為放電形式

Lam9600旨在蝕刻具有高度垂直側壁的鋁金屬和TiW層，適用于0.35um線寬

SussMicroTecACS200是一種自動光刻膠涂層和烘烤站，具有盒到盒基底操作

佳能二手i-line光刻機CANONFPA3000I4參數：Magnification5XResolution0

ASML二手KrF曝光機，光刻機現貨由青島佳鼎分析儀器有限公司提供，除此之外，我們的技術團隊還支隊對光刻機的技術改造和方案對接

Nikon分步投影光刻機NSR-S204B，用于集成電路生產過程中的微光刻工藝，通過投影成像方式，把掩模版上集成電路圖形以高分辨率、高精度、高效率的方式分步重復...

TWINSCANNXT:1970Ci步進掃描系統是一種高生產率的雙級浸沒式光刻工具，專為在成熟節點批量生產300毫米晶圓而設計

這些i-line步進器具有與尼康DUV掃描儀相同的縮小率和視場大小，是曝光次臨界層的理想選擇，這些層大約占設備20層或更多層的一半

TheSUSSMA/BA6SUSSMA/BA6掩模對準器被廣泛認為是半導體微米研究和微系統生產的基準

關鍵應用：柵極預清洗RCA清洗光阻去除氧化硅腐蝕氮化硅腐蝕CoSix選擇性腐蝕產品優勢：1、占地面積小，將外部unit集成在設備內部來減小整體的占地面積

AZ®1500Series應用通用正性光刻膠，具有出色的基材附著力，適用于要求苛刻的濕法蝕刻應用

i線步進式光刻機NSR-SF155適用于廣泛的半導體器件的制造

2001年12月5日，ASML推出了款具有110nm分辨率的KrF(248nm)StepScan300mm雙級光刻系統

支持多重曝光、實現了超高精度與高產出的ArF液浸式掃描光刻機ArF液浸式掃描光刻機NSR-S622DArF液浸式掃描光刻機NSR-S622D專為20nm以下制程...

PAS5500/750FDUV步進掃描系統使用成熟的248nmKrF技術，可以實現130nm的大規模生產

尼康NikonArF掃描光刻機NSR-S322F裝載了在液浸式裝置中取得優秀業績的StreamlignPlatform，同時進一步提高了重合精度與生產效率

SAMCO二手翻新刻蝕系統刻蝕機RIE-10NR產品優勢：高度緊湊型設計，節約空間

佳能半導體光刻設備，高分辨率/高生產率KrF掃描儀FPA-6300ES6a二手翻新現貨優勢特點：FPA-6300ES6a掃描儀提供高生產力通過使用新設計的Ret...