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佳能半導體光刻設備-步進式光刻機FPA-3030EX6，專用于物聯網設備的KrF光刻機，分辨率達到150nm，可用電腦進行遠程操控

佳能i線步進式光刻機FPA-5550iZ2生產效率高，重疊精度高，能夠快速完成晶圓的測量和校準，減少了晶圓處理的時間

二手現貨佳能光刻機FPA-5510iX，可在50mmx50mm的大曝光場上提供0.5um的分辨率在單次曝光中曝光大視野的能力為FPA-5510iX提供了很大的優...

佳能二手翻新光刻機FPA-5520iV，用于高級封裝的i-line步進器，具有支持高分辨率和大曝光場的可選陣容，現貨支持

二手翻新佳能i線步進式光刻機FPA-8000iW處理515*510mm的大型面板基板，可實現大封裝PLP生產，同時具備1.0μm的分辨率，高效靈活

AMAT沉積刻蝕設備蝕刻機P5000由半導體設備廠商美國應用材料公司(AppliedMaterials）生產，P5000系統是一臺成功的以單晶片、多反應室理念而...

現有二手尼康Nikon翻新現貨光刻機NSR-1755i7一臺，價格大約$650,000左右，針對4寸/6寸晶圓，分辨率0.6umumLS

光刻機NSR-2005I8A用于集成電路生產中的微光刻工藝

NIKONNSRG8A步進式光刻機用于半導體功率器件制造工藝中的光刻工序，即將圖形投影到涂有光刻膠的硅片上的裝置，由此使得所需圖形區域的光刻膠曝光

愛發科ICP刻蝕設備刻蝕系統NE-550EXz現貨，電極的刻蝕效果好，能夠進行正確穩定的刻蝕重點效果檢測，具有維護便利、性能穩定、產能優良等特點

centrotherm臥式熱反應系統HORICOO200是大量現場驗證及具有多功能的臥式爐系統，基于客戶需求可靈活選擇大、中批量生產以及研發類型機臺

ULVACCS-200系列磁控濺射鍍膜設備是一款追求低成本和用戶友好操作的磁控濺射設備，通過增加配有機械手d裝載固定腔室（Loadlockchamber）使在上...

隨著半導體芯片工藝技術的發展，工藝技術節點進入28納米以及14nm等更*等級，隨著工藝流程的延長以及越趨復雜，每個晶片在整個制造過程中需要超過200道清洗步驟，...

Load-lock式PlasmaCVD設備CC-200/400是小型的使用便利的可對應從研究開發到量產的設備

AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統，能夠在原子水平上控制薄膜厚度

AL-1通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率

PD-3800L是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統

德國suss公司的ma8光刻機，兼容4、6、8英寸wafer，Led光源，3個獨立波長(g、h、i)，可自定義

200kV相差校正TEM/STEM，平衡了空間分辨率和傾斜、分析性能通過單極片實現0.078nm的STEM空間分辨率和高樣品傾斜度、高立體角EDX

專用掃描透射顯微鏡HD-2700，配備了與德國CEOSGmbH公司(總經理MaxHaider先生)共同開發的球差校正儀，顯著提高了掃描透射電子顯微鏡的性能，更適...