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ASMLDUV光刻機PAS5500/750FDUV步進和掃描系統使用成熟的248-nmKrF技術實現130nm量產

ASML浸沒式光刻機XT:1900i是XT：1700Fi的自然擴展，通過提供40nm的半間距分辨率，支持半導體行業所要求的設備縮小的持續驅動器

ASMLKRF光刻機PAS5500/800提供0.80數值孔徑(NA)

ASMLKrF光刻機PAS5500/850C248nm步進-掃描系統可實現110nm的批量生產

ASMlKrF光刻機PAS5500/850D248nm步進掃描系統支持110nm量產

PAS5500/8TFH-AKrF步進掃描系統是一種專用的光刻工具，用于在125毫米、150毫米和200mmAlTiC晶片上生產薄膜頭(TFH)

TWINSCANXT:1000H248nm步進掃描系統是一種新型雙級KrF光刻工具，具有業界的NA和生產率，設計用于200mm和300mm晶圓生產

ASMLTwinscanAT1250B是步進和掃描儀系統

XT:1250i是ASML發布的TWINSCANXT:1250的浸入式版本

隨著TWINSCANXT：1400Ei的發布，使用ArF浸入式光刻生產65nm體積現在成為現實

ASMLHoldingNV(ASML)于2006年末推出了其的TWINSCAN系統，這是一種*的193納米(nm)曝光系統，具有成像、覆蓋和吞吐量改進的特點

TWINSCANXT:1900GiStep-and-Scan系統是一種高生產率的雙級浸沒式光刻工具，專為45納米及以下分辨率的300毫米晶圓批量生產而設計

TWINSCANXT:400G365nm步進掃描系統是一種超高生產率的雙級光刻工具，專為350nm分辨率的300mm晶圓批量生產而設計

TWINSCANXT:450G365-nm步進式掃描系統是一種高生產率的雙級光刻工具，設計用于批量生產分辨率低至220-nm及以上的關鍵i-line應用

尼康的這款i-line光刻機NSR2205i12D是歡迎的光刻系統之一

半導體工藝技術一直在不斷縮小規模并朝著3D結構發展，這對薄膜沉積提出了挑戰

Mattson二手刻蝕設備ParadigmE于2012年開始使用，針對于12寸晶圓的刻蝕處理

CanonAnelva二手物理氣相沉積PVD設備FC7100于2011年開始投入使用，適用于12英寸晶圓

ULVAC愛發科二手葉片式濺射設備CERAUSZX-1000與2011年投入使用，針對于8英寸晶圓使用

ULVAC愛發科多腔濺射設備EntronEXW300是在Al、Cu、高熔點金屬布線工序中有很多實績的單片式多室對應平臺