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TWINSCANNXT:2000i為高級邏輯和DRAM節點的大批量制造提供出色的覆蓋、聚焦控制和交叉匹配

主要特點和優勢TWINSCANNXT:2050i建立在面向未來的NXT4平臺之上，突破了重疊限制，并為浸沒式光刻系統提供了的生產力

ASML二手翻新ARF光刻機NXT:1470采用193nmARF光源，分辨率57nm，產能300wph

asml二手現貨DUV光刻機XT:1460K采用193nmARF光源，分辨率65nm，產能205wph

ASML二手翻新現貨DUV光刻機XT:1060K，采用248nmKRF曝光光源，分辨率80nm，產能205wph

ASML二手現貨DUV光刻機XT:860M，采用248nmKRF光源，分辨率110nm，產能240wph

ASML二手現貨DUV光刻機XT:400L，分辨率350nm，產能230wph

ASML二手翻新DUV光刻機NXT:1965Ci，采用193nmARF曝光光源，分辨率38nm，產能250wph

樣品容量：全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安裝樣品

SUSSMA300Gen2掩模對準器用于300毫米和200毫米晶圓的高度自動化光刻對準平臺

SUSSMA2003代光刻機專為大批量生產而設計，適用于200毫米以下晶圓和方形襯底的自動化加工

SUSSMicroTec為熱門化合物半導體工藝專門設計了一款新型光刻平臺：MA100/150eGen2

SUSSMA12掩膜對準器用于工業研究和低成本生產的手動光刻機

MA/BAGen4系列掩膜和鍵合對準器——實驗室及小批量生產用小型光刻機平臺蘇斯公司的MA/BA4代系列是一代的半自動光刻和鍵合對準機，并引進了新的平臺系統

佳能KrF光刻機FPA-6300ESW采用248nmKRF曝光光源，分辨率130nm，專為12英寸晶圓設計

FPA-3030i5+步進器旨在滿足并超越物聯網和MEMS制造商的要求

FPA-3030i5a支持直徑為200毫米或更小的較小基板

FPA-3030iWa支持直徑為200毫米或更小的較小基板

光學系統曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)

光學系統曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)